1月8日，2015年度国家科学技术奖励大会在人民大会堂隆重举行。我校1998届毕业生、晶能光电副总裁孙钱等6人组成的团队获得国家技术发明奖一等奖。
    获奖项目为“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”，由南昌大学江风益团队自主研发。目前，围绕该项目已申请专利330多项，已获授权147项，其中国际专利47项。这些专利将是构建中国LED产业知识产权池的基石，对我国的LED产业格局和产业安全将产生重大影响。
    作为研究团队成员，孙钱也是我国大尺寸硅衬底氮化镓LED产业的引领人。据他介绍，硅衬底LED技术是全球首创，发展空间巨大，能进一步大幅度降低LED产品的综合成本，将重塑全球LED行业的竞争格局。
    孙钱博士，1995就读于我校，1998年考入中国科技大学，2002年提前一年毕业，获双学士学位，并荣获郭沫若校长奖学金；同年以全系第一名的成绩免试推荐到中科院半导体所攻读硕士学位；2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造，2009年8月获得博士学位， 2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司，任外延研发科学家。2011年，孙钱入选中组部的首批“青年千人计划”。