我校校友荣获国家技术发明奖一等奖
1月8日,2015年度国家科学技术奖励大会在人民大会堂隆重举行。我校1998届毕业生、晶能光电副总裁孙钱等6人组成的团队获得国家技术发明奖一等奖。
获奖项目为“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”,由南昌大学江风益团队自主研发。目前,围绕该项目已申请专利330多项,已获授权147项,其中国际专利47项。这些专利将是构建中国LED产业知识产权池的基石,对我国的LED产业格局和产业安全将产生重大影响。
作为研究团队成员,孙钱也是我国大尺寸硅衬底氮化镓LED产业的引领人。据他介绍,硅衬底LED技术是全球首创,发展空间巨大,能进一步大幅度降低LED产品的综合成本,将重塑全球LED行业的竞争格局。
孙钱博士,1995就读于我校,1998年考入中国科技大学,2002年提前一年毕业,获双学士学位,并荣获郭沫若校长奖学金;同年以全系第一名的成绩免试推荐到中科院半导体所攻读硕士学位;2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造,2009年8月获得博士学位, 2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司,任外延研发科学家。2011年,孙钱入选中组部的首批“青年千人计划”。

扫一扫关注
通州高级中学
通州高级中学
用户登录